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IS42S16160B-6B-TR

IS42S16160B-6B-TR

僅供參考

型號 IS42S16160B-6B-TR
PNEDA編號 IS42S16160B-6B-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 54LFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,730
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S16160B-6B-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S16160B-6B-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42S16160B-6B-TR, IS42S16160B-6B-TR數據表 (總頁數: 62, 大小: 762.8 KB)
PDFIS42S16160B-6BLI-TR數據表 封面
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IS42S16160B-6B-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-LFBGA
供應商設備包裝54-LFBGA (8x13)

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

Parallel

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訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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