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IS42S16160G-6BI-TR

IS42S16160G-6BI-TR

僅供參考

型號 IS42S16160G-6BI-TR
PNEDA編號 IS42S16160G-6BI-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 6,840
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S16160G-6BI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S16160G-6BI-TR
類別半導體內存IC內存

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IS42S16160G-6BI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TFBGA
供應商設備包裝54-TFBGA (8x8)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-TSSOP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

50µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

128Mb (32M x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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