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IS42S32160B-6BLI

IS42S32160B-6BLI

僅供參考

型號 IS42S32160B-6BLI
PNEDA編號 IS42S32160B-6BLI
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 6,804
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S32160B-6BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S32160B-6BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42S32160B-6BLI, IS42S32160B-6BLI數據表 (總頁數: 60, 大小: 821.74 KB)
PDFIS42S32160B-75ETLI-TR數據表 封面
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IS42S32160B-6BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小512Mb (16M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-TFBGA
供應商設備包裝90-WBGA (11x13)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.6GHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

19ns

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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技術

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內存大小

4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.8V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - DDR2

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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內存格式

DRAM

技術

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內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

14ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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