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IS42S32200L-6BI

IS42S32200L-6BI

僅供參考

型號 IS42S32200L-6BI
PNEDA編號 IS42S32200L-6BI
描述 IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 2,106
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S32200L-6BI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S32200L-6BI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42S32200L-6BI, IS42S32200L-6BI數據表 (總頁數: 59, 大小: 1,309.99 KB)
PDFIS42S32200L-7BI數據表 封面
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IS42S32200L-6BI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小64Mb (2M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-TFBGA
供應商設備包裝90-TFBGA (8x13)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

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訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

28-TSOP

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存接口

SPI

時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

28-TSOP

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