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IS42S32400E-6BLI

IS42S32400E-6BLI

僅供參考

型號 IS42S32400E-6BLI
PNEDA編號 IS42S32400E-6BLI
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 2,214
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 20 - 四月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S32400E-6BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S32400E-6BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42S32400E-6BLI, IS42S32400E-6BLI數據表 (總頁數: 60, 大小: 826.06 KB)
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IS42S32400E-6BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小128Mb (4M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-TFBGA
供應商設備包裝90-TFBGA (8x13)

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制造商

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

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訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

533MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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