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IS42S32800D-6BI-TR

IS42S32800D-6BI-TR

僅供參考

型號 IS42S32800D-6BI-TR
PNEDA編號 IS42S32800D-6BI-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 7,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S32800D-6BI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S32800D-6BI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42S32800D-6BI-TR, IS42S32800D-6BI-TR數據表 (總頁數: 60, 大小: 830.76 KB)
PDFIS45S32800D-7TLA1-TR數據表 封面
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IS42S32800D-6BI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小256Mb (8M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-TFBGA
供應商設備包裝90-TFBGA (8x13)

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工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

150ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

125MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

7ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

-

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-TFBGA

供應商設備包裝

90-TFBGA (8x13)

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