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IS42S83200B-7TI-TR

IS42S83200B-7TI-TR

僅供參考

型號 IS42S83200B-7TI-TR
PNEDA編號 IS42S83200B-7TI-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 3,690
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S83200B-7TI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S83200B-7TI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42S83200B-7TI-TR, IS42S83200B-7TI-TR數據表 (總頁數: 62, 大小: 762.8 KB)
PDFIS42S16160B-6BLI-TR數據表 封面
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IS42S83200B-7TI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小256Mb (32M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率143MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝54-TSOP II

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內存格式

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

Automotive, AEC-Q100

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TFBGA

供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR3L

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

供應商設備包裝

78-TWBGA (8x10.5)

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

150MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH - NOR

內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

3ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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