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IS42S83200J-6TL-TR

IS42S83200J-6TL-TR

僅供參考

型號 IS42S83200J-6TL-TR
PNEDA編號 IS42S83200J-6TL-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 3,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S83200J-6TL-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S83200J-6TL-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42S83200J-6TL-TR, IS42S83200J-6TL-TR數據表 (總頁數: 63, 大小: 980.06 KB)
PDFIS42S16160J-6TI數據表 封面
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IS42S83200J-6TL-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小256Mb (32M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝54-TSOP II

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

44-TSOP II

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制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

55ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

50-TSOP II

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

9ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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訪問時間

75ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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