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IS42S83200J-6TLI-TR

IS42S83200J-6TLI-TR

僅供參考

型號 IS42S83200J-6TLI-TR
PNEDA編號 IS42S83200J-6TLI-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 7,542
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42S83200J-6TLI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42S83200J-6TLI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42S83200J-6TLI-TR, IS42S83200J-6TLI-TR數據表 (總頁數: 63, 大小: 980.06 KB)
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IS42S83200J-6TLI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小256Mb (32M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝54-TSOP II

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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技術

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

54-TSOP II

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

Die

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

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內存格式

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技術

SGRAM - GDDR5

內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.75GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

FLASH, RAM

技術

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內存大小

8Gb (512M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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