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IS42SM16800G-75BLI-TR

IS42SM16800G-75BLI-TR

僅供參考

型號 IS42SM16800G-75BLI-TR
PNEDA編號 IS42SM16800G-75BLI-TR
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,778
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42SM16800G-75BLI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42SM16800G-75BLI-TR
類別半導體內存IC內存

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IS42SM16800G-75BLI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間6ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TFBGA
供應商設備包裝54-TFBGA (8x8)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

150MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Winbond Electronics

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - DDR3L

內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

667MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-VFBGA

供應商設備包裝

96-VFBGA (7.5x13)

S25FL128SAGMFV001

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

FL-S

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

DRAM

技術

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內存大小

4Gb (256M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1066MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

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包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

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