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IS42SM16800H-75BLI

IS42SM16800H-75BLI

僅供參考

型號 IS42SM16800H-75BLI
PNEDA編號 IS42SM16800H-75BLI
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 7,092
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42SM16800H-75BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42SM16800H-75BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42SM16800H-75BLI, IS42SM16800H-75BLI數據表 (總頁數: 34, 大小: 848.37 KB)
PDFIS45VM16800H-75BLA2-TR數據表 封面
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IS42SM16800H-75BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間6ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TFBGA
供應商設備包裝54-TFBGA (8x8)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

10ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

-

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

內存大小

1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

107-TFBGA

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, QDR II

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.88ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

1.866GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

0.6V, 1.1V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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