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IS42VM16160E-75BLI

IS42VM16160E-75BLI

僅供參考

型號 IS42VM16160E-75BLI
PNEDA編號 IS42VM16160E-75BLI
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 3,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42VM16160E-75BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42VM16160E-75BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42VM16160E-75BLI, IS42VM16160E-75BLI數據表 (總頁數: 33, 大小: 832.58 KB)
PDFIS42VM16160E-75BLI-TR數據表 封面
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IS42VM16160E-75BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間6ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TFBGA
供應商設備包裝54-TFBGA (8x8)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

104ns

訪問時間

30ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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Surface Mount

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