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IS42VM32800E-6BLI-TR

IS42VM32800E-6BLI-TR

僅供參考

型號 IS42VM32800E-6BLI-TR
PNEDA編號 IS42VM32800E-6BLI-TR
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 4,050
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42VM32800E-6BLI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42VM32800E-6BLI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42VM32800E-6BLI-TR, IS42VM32800E-6BLI-TR數據表 (總頁數: 33, 大小: 871.66 KB)
PDFIS42VM32800E-75BLI-TR數據表 封面
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IS42VM32800E-6BLI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile
內存大小256Mb (8M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5.5ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱90-TFBGA
供應商設備包裝90-TFBGA (8x13)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

3ns

電壓-供電

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訪問時間

100ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

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