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IS42VS16100C1-10TI

IS42VS16100C1-10TI

僅供參考

型號 IS42VS16100C1-10TI
PNEDA編號 IS42VS16100C1-10TI
描述 IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 7,758
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS42VS16100C1-10TI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS42VS16100C1-10TI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS42VS16100C1-10TI, IS42VS16100C1-10TI數據表 (總頁數: 80, 大小: 751.24 KB)
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IS42VS16100C1-10TI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小16Mb (1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間7ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝50-TSOP II

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

300MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.4ns

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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安裝類型

Surface Mount

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

633MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.26V ~ 1.34V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

50µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

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安裝類型

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