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IS43DR82560B-25EBLI

IS43DR82560B-25EBLI

僅供參考

型號 IS43DR82560B-25EBLI
PNEDA編號 IS43DR82560B-25EBLI
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 60TWBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,388
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43DR82560B-25EBLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43DR82560B-25EBLI
類別半導體內存IC內存
數據表
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IS43DR82560B-25EBLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間400ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-TWBGA (10.5x13)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.1V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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時鐘頻率

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

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4Mb (264 Bytes x 2048 pages)

內存接口

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時鐘頻率

13MHz

寫周期-字,頁

14ms

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