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IS43DR86400C-3DBL-TR

IS43DR86400C-3DBL-TR

僅供參考

型號 IS43DR86400C-3DBL-TR
PNEDA編號 IS43DR86400C-3DBL-TR
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 7,074
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 28 - 五月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43DR86400C-3DBL-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43DR86400C-3DBL-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43DR86400C-3DBL-TR, IS43DR86400C-3DBL-TR數據表 (總頁數: 48, 大小: 1,438.62 KB)
PDFIS43DR86400C-3DBI-TR數據表 封面
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IS43DR86400C-3DBL-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間450ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-TWBGA (8x10.5)

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安裝類型

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包裝/箱

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時鐘頻率

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