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IS43LD16640A-25BLI

IS43LD16640A-25BLI

僅供參考

型號 IS43LD16640A-25BLI
PNEDA編號 IS43LD16640A-25BLI
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 6,282
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43LD16640A-25BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43LD16640A-25BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43LD16640A-25BLI, IS43LD16640A-25BLI數據表 (總頁數: 143, 大小: 6,603.82 KB)
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IS43LD16640A-25BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR2
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱134-TFBGA
供應商設備包裝134-TFBGA (10x11.5)

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

120ns

電壓-供電

2.65V ~ 3.3V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.1ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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