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IS43LD16640A-3BLI-TR

IS43LD16640A-3BLI-TR

僅供參考

型號 IS43LD16640A-3BLI-TR
PNEDA編號 IS43LD16640A-3BLI-TR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 6,174
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43LD16640A-3BLI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43LD16640A-3BLI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43LD16640A-3BLI-TR, IS43LD16640A-3BLI-TR數據表 (總頁數: 143, 大小: 6,603.82 KB)
PDFIS46LD32320A-3BPLA25-TR數據表 封面
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IS43LD16640A-3BLI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR2
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱134-TFBGA
供應商設備包裝134-TFBGA (10x11.5)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH

內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存大小

32Kb (2K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

68-BPGA

供應商設備包裝

68-PGA (29.46x29.46)

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內存類型

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內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

2ms

訪問時間

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

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