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IS43LD32320A-3BLI-TR

IS43LD32320A-3BLI-TR

僅供參考

型號 IS43LD32320A-3BLI-TR
PNEDA編號 IS43LD32320A-3BLI-TR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 3,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43LD32320A-3BLI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43LD32320A-3BLI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43LD32320A-3BLI-TR, IS43LD32320A-3BLI-TR數據表 (總頁數: 143, 大小: 6,603.82 KB)
PDFIS46LD32320A-3BPLA25-TR數據表 封面
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IS43LD32320A-3BLI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR2
內存大小1Gb (32M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱134-TFBGA
供應商設備包裝134-TFBGA (10x11.5)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

IS42VM16800G-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TFBGA

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

8Kb (512 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

PSRAM (Pseudo SRAM)

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

85ns

訪問時間

85ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

54-VFBGA (8x10)

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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