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IS43LD32640B-18BPL-TR

IS43LD32640B-18BPL-TR

僅供參考

型號 IS43LD32640B-18BPL-TR
PNEDA編號 IS43LD32640B-18BPL-TR
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 6,732
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43LD32640B-18BPL-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43LD32640B-18BPL-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
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IS43LD32640B-18BPL-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
內存大小2Gb (64M x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率533MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱168-VFBGA
供應商設備包裝168-VFBGA (12x12)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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時鐘頻率

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

10ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

32-sTSOP

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