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IS43LR16640A-6BL-TR

IS43LR16640A-6BL-TR

僅供參考

型號 IS43LR16640A-6BL-TR
PNEDA編號 IS43LR16640A-6BL-TR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 3,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43LR16640A-6BL-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43LR16640A-6BL-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43LR16640A-6BL-TR, IS43LR16640A-6BL-TR數據表 (總頁數: 43, 大小: 1,852.2 KB)
PDFIS43LR16640A-5BLI數據表 封面
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IS43LR16640A-6BL-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - Mobile LPDDR
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間5ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-TWBGA (8x10)

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內存大小

2Gb (64M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

208MHz

寫周期-字,頁

14.4ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-VFBGA

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

54-TSOP II

BR24G04F-3GTE2

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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工作溫度

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-

包裝/箱

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