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IS43QR16256A-083RBLI

IS43QR16256A-083RBLI

僅供參考

型號 IS43QR16256A-083RBLI
PNEDA編號 IS43QR16256A-083RBLI
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 96BGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,766
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43QR16256A-083RBLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43QR16256A-083RBLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43QR16256A-083RBLI, IS43QR16256A-083RBLI數據表 (總頁數: 266, 大小: 5,699.07 KB)
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IS43QR16256A-083RBLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR4
內存大小4Gb (256M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率1.2GHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電1.14V ~ 1.26V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-TFBGA
供應商設備包裝96-TWBGA (9x13)

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

5µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256b (32 x 8)

內存接口

1-Wire®

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

15µs

電壓-供電

-

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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內存類型

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內存格式

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技術

CBRAM

內存大小

64kb (32B Page Size)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

100µs, 1.2ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-XFBGA, WLCSP

供應商設備包裝

6-WLCSP

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Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (64M x 8, 32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

56-TSOP

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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