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IS43R86400D-6BL

IS43R86400D-6BL

僅供參考

型號 IS43R86400D-6BL
PNEDA編號 IS43R86400D-6BL
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 4,662
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43R86400D-6BL資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43R86400D-6BL
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43R86400D-6BL, IS43R86400D-6BL數據表 (總頁數: 33, 大小: 1,045.4 KB)
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IS43R86400D-6BL規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-TFBGA (8x13)

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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訪問時間

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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