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IS43R86400D-6TL-TR

IS43R86400D-6TL-TR

僅供參考

型號 IS43R86400D-6TL-TR
PNEDA編號 IS43R86400D-6TL-TR
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43R86400D-6TL-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43R86400D-6TL-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43R86400D-6TL-TR, IS43R86400D-6TL-TR數據表 (總頁數: 33, 大小: 1,045.4 KB)
PDFIS43R16320D-6BI數據表 封面
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IS43R86400D-6TL-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP II

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TC)

安裝類型

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

8-SOIC

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存接口

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時鐘頻率

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