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IS43TR16640A-125JBL

IS43TR16640A-125JBL

僅供參考

型號 IS43TR16640A-125JBL
PNEDA編號 IS43TR16640A-125JBL
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,004
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43TR16640A-125JBL資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43TR16640A-125JBL
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43TR16640A-125JBL, IS43TR16640A-125JBL數據表 (總頁數: 8, 大小: 228.45 KB)
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IS43TR16640A-125JBL規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-TFBGA
供應商設備包裝96-TWBGA (9x13)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

12ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

2Mb (64K x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

80MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

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