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IS43TR16640B-125JBLI

IS43TR16640B-125JBLI

僅供參考

型號 IS43TR16640B-125JBLI
PNEDA編號 IS43TR16640B-125JBLI
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 96TWBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,886
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 7 - 十二月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43TR16640B-125JBLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43TR16640B-125JBLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43TR16640B-125JBLI, IS43TR16640B-125JBLI數據表 (總頁數: 87, 大小: 4,343.88 KB)
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IS43TR16640B-125JBLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-TFBGA
供應商設備包裝96-TWBGA (9x13)

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

100µs, 2.5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-UFDFN Exposed Pad

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

512Mb (128M x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

2Mb (64K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.6ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

800µs

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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