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IS43TR81280B-107MBLI

IS43TR81280B-107MBLI

僅供參考

型號 IS43TR81280B-107MBLI
PNEDA編號 IS43TR81280B-107MBLI
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 7,866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43TR81280B-107MBLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43TR81280B-107MBLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43TR81280B-107MBLI, IS43TR81280B-107MBLI數據表 (總頁數: 87, 大小: 4,343.88 KB)
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IS43TR81280B-107MBLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率933MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-TWBGA (8x10.5)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

117MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

183MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.3ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, QDR II

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.3ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-TBGA

供應商設備包裝

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制造商

Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

128Kb (8K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

81-TFBGA

供應商設備包裝

81-CABGA (5x5)

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