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IS43TR81280B-15GBL

IS43TR81280B-15GBL

僅供參考

型號 IS43TR81280B-15GBL
PNEDA編號 IS43TR81280B-15GBL
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 6,300
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS43TR81280B-15GBL資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS43TR81280B-15GBL
類別半導體內存IC內存
數據表
IS43TR81280B-15GBL, IS43TR81280B-15GBL數據表 (總頁數: 87, 大小: 4,343.88 KB)
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IS43TR81280B-15GBL規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小1Gb (128M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率667MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-TWBGA (8x10.5)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.63V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

250ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH - NAND

內存大小

1.5Tb (192G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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