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IS46DR16128C-3DBLA2-TR

IS46DR16128C-3DBLA2-TR

僅供參考

型號 IS46DR16128C-3DBLA2-TR
PNEDA編號 IS46DR16128C-3DBLA2-TR
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,958
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS46DR16128C-3DBLA2-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS46DR16128C-3DBLA2-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS46DR16128C-3DBLA2-TR, IS46DR16128C-3DBLA2-TR數據表 (總頁數: 48, 大小: 1,565.15 KB)
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IS46DR16128C-3DBLA2-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小2Gb (128M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間450ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱84-TFBGA
供應商設備包裝84-TWBGA (8x12.5)

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

90ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

256Kb (16K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

128-TQFP (14x14)

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內存格式

FLASH

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內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QUAD

內存大小

36Mb (2M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.4ns

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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