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IS46R16160F-6TLA2

IS46R16160F-6TLA2

僅供參考

型號 IS46R16160F-6TLA2
PNEDA編號 IS46R16160F-6TLA2
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,148
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS46R16160F-6TLA2資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS46R16160F-6TLA2
類別半導體內存IC內存
數據表
IS46R16160F-6TLA2, IS46R16160F-6TLA2數據表 (總頁數: 32, 大小: 1,495.17 KB)
PDFIS46R16160F-6BLA2數據表 封面
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IS46R16160F-6TLA2規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP II

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

54-TSOP II

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

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