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IS46TR16640B-125JBLA1-TR

IS46TR16640B-125JBLA1-TR

僅供參考

型號 IS46TR16640B-125JBLA1-TR
PNEDA編號 IS46TR16640B-125JBLA1-TR
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 800MHZ
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 7,974
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS46TR16640B-125JBLA1-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS46TR16640B-125JBLA1-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS46TR16640B-125JBLA1-TR, IS46TR16640B-125JBLA1-TR數據表 (總頁數: 87, 大小: 4,343.88 KB)
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IS46TR16640B-125JBLA1-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱96-TFBGA
供應商設備包裝96-TWBGA (9x13)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

66-TSOP

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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內存接口

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工作溫度

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安裝類型

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

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時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

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工作溫度

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