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IS49NLC36160-33BL

IS49NLC36160-33BL

僅供參考

型號 IS49NLC36160-33BL
PNEDA編號 IS49NLC36160-33BL
描述 IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,136
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS49NLC36160-33BL資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS49NLC36160-33BL
類別半導體內存IC內存
數據表
IS49NLC36160-33BL, IS49NLC36160-33BL數據表 (總頁數: 35, 大小: 1,238.32 KB)
PDFIS49NLC96400-33BLI數據表 封面
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IS49NLC36160-33BL規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術DRAM
內存大小576Mb (16M x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率300MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間20ns
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱144-TFBGA
供應商設備包裝144-FCBGA (11x18.5)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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內存接口

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時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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內存接口

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寫周期-字,頁

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訪問時間

2.6ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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