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IS49RL18320-125BL

IS49RL18320-125BL

僅供參考

型號 IS49RL18320-125BL
PNEDA編號 IS49RL18320-125BL
描述 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 4,932
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS49RL18320-125BL資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS49RL18320-125BL
類別半導體內存IC內存
數據表
IS49RL18320-125BL, IS49RL18320-125BL數據表 (總頁數: 115, 大小: 2,954.7 KB)
PDFIS49RL36160-093EBLI數據表 封面
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IS49RL18320-125BL規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術DRAM
內存大小576Mb (32M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間12ns
電壓-供電1.28V ~ 1.42V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱168-LBGA
供應商設備包裝168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (128M x 4)

內存接口

SPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存格式

FLASH

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

32Kb (2K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

68-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

68-PLCC (24.21x24.21)

R1LV0108ESA-5SI#B1

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制造商

Renesas Electronics America

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

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制造商

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

75MHz

寫周期-字,頁

15ms, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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