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IS49RL36160-093EBLI

IS49RL36160-093EBLI

僅供參考

型號 IS49RL36160-093EBLI
PNEDA編號 IS49RL36160-093EBLI
描述 IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 2,250
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS49RL36160-093EBLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS49RL36160-093EBLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS49RL36160-093EBLI, IS49RL36160-093EBLI數據表 (總頁數: 115, 大小: 2,954.7 KB)
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IS49RL36160-093EBLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術DRAM
內存大小576Mb (16M x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率1.066GHz
寫周期-字,頁-
訪問時間8ns
電壓-供電1.28V ~ 1.42V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱168-LBGA
供應商設備包裝168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

8.4ns

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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