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IS61C256AL-12TLI

IS61C256AL-12TLI

僅供參考

型號 IS61C256AL-12TLI
PNEDA編號 IS61C256AL-12TLI
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 17,005
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61C256AL-12TLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61C256AL-12TLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61C256AL-12TLI, IS61C256AL-12TLI數據表 (總頁數: 11, 大小: 518.97 KB)
PDFIS61C256AL-12TLI-TR數據表 封面
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IS61C256AL-12TLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
供應商設備包裝28-TSOP I

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

450ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

8ms, 5ms

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

24-TBGA

供應商設備包裝

24-T-PBGA (6x8)

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

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SRAM - Asynchronous

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

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工作溫度

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