IS61DDB21M18A-300M3L
僅供參考
| 型號 | IS61DDB21M18A-300M3L |
| PNEDA編號 | IS61DDB21M18A-300M3L |
| 描述 | IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA |
| 制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 3,490 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸) |
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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IS61DDB21M18A-300M3L資源
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IS61DDB21M18A-300M3L規格
| 制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 系列 | - |
| 內存類型 | Volatile |
| 內存格式 | SRAM |
| 技術 | SRAM - Synchronous, DDR II |
| 內存大小 | 18Mb (1M x 18) |
| 內存接口 | Parallel |
| 時鐘頻率 | 300MHz |
| 寫周期-字，頁 | - |
| 訪問時間 | - |
| 電壓-供電 | 1.71V ~ 1.89V |
| 工作溫度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 165-LBGA |
| 供應商設備包裝 | 165-LFBGA (13x15) |
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