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IS61LPS51236B-200TQLI-TR

IS61LPS51236B-200TQLI-TR

僅供參考

型號 IS61LPS51236B-200TQLI-TR
PNEDA編號 IS61LPS51236B-200TQLI-TR
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,940
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 29 - 一月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61LPS51236B-200TQLI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61LPS51236B-200TQLI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
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IS61LPS51236B-200TQLI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-LQFP (14x20)

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

8.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

8Mb (512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20µs

訪問時間

45ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-TFBGA

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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