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IS61LV12816L-10LQI-TR

IS61LV12816L-10LQI-TR

僅供參考

型號 IS61LV12816L-10LQI-TR
PNEDA編號 IS61LV12816L-10LQI-TR
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 44LQFP
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 4,698
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61LV12816L-10LQI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61LV12816L-10LQI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61LV12816L-10LQI-TR, IS61LV12816L-10LQI-TR數據表 (總頁數: 16, 大小: 113.74 KB)
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IS61LV12816L-10LQI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小2Mb (128K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電3.135V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-LQFP
供應商設備包裝44-LQFP (10x10)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

64Mb (2M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

13.75ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

1Mb (32K x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

83MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.63V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP

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