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IS61NLP102418-200B3I

IS61NLP102418-200B3I

僅供參考

型號 IS61NLP102418-200B3I
PNEDA編號 IS61NLP102418-200B3I
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61NLP102418-200B3I資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61NLP102418-200B3I
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61NLP102418-200B3I, IS61NLP102418-200B3I數據表 (總頁數: 37, 大小: 642.05 KB)
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IS61NLP102418-200B3I規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小18Mb (1M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.1ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-TFBGA (13x15)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

28-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

28-PDIP

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

80ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

550ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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內存類型

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內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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