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IS61NLP12836EC-200B3LI-TR

IS61NLP12836EC-200B3LI-TR

僅供參考

型號 IS61NLP12836EC-200B3LI-TR
PNEDA編號 IS61NLP12836EC-200B3LI-TR
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,676
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61NLP12836EC-200B3LI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61NLP12836EC-200B3LI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
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IS61NLP12836EC-200B3LI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小4.5Mb (128K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.1ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-TFBGA (13x15)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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技術

FLASH

內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

30MHz

寫周期-字,頁

2.5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

72Kb (4K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

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1.14V ~ 1.3V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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