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IS61NLP51236-200B3

IS61NLP51236-200B3

僅供參考

型號 IS61NLP51236-200B3
PNEDA編號 IS61NLP51236-200B3
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價
1 ---------- $429.7830
50 ---------- $409.6370
100 ---------- $389.4909
200 ---------- $369.3448
400 ---------- $352.5564
500 ---------- $335.7680
庫存 846
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61NLP51236-200B3資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61NLP51236-200B3
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61NLP51236-200B3, IS61NLP51236-200B3數據表 (總頁數: 37, 大小: 642.05 KB)
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IS61NLP51236-200B3規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.1ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TFBGA
供應商設備包裝165-TFBGA (13x15)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

32-TSOP

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

36-DIP Module (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

56-TFBGA, CSPBGA

供應商設備包裝

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Etron Technology, Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

2Gb (256M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-VFBGA

供應商設備包裝

78-FBGA (8x10.5)

25AA080/P

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

8-PDIP

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