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IS61NVP51236-200B3-TR

IS61NVP51236-200B3-TR

僅供參考

型號 IS61NVP51236-200B3-TR
PNEDA編號 IS61NVP51236-200B3-TR
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 4,518
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61NVP51236-200B3-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61NVP51236-200B3-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61NVP51236-200B3-TR, IS61NVP51236-200B3-TR數據表 (總頁數: 37, 大小: 642.05 KB)
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IS61NVP51236-200B3-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.1ns
電壓-供電2.375V ~ 2.625V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-TFBGA (13x15)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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技術

EEPROM

內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II+

內存大小

72Mb (4M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

550MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

71V321L55TF8

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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55ns

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