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IS61QDB22M18A-250M3LI

IS61QDB22M18A-250M3LI

僅供參考

型號 IS61QDB22M18A-250M3LI
PNEDA編號 IS61QDB22M18A-250M3LI
描述 IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,406
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61QDB22M18A-250M3LI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61QDB22M18A-250M3LI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61QDB22M18A-250M3LI, IS61QDB22M18A-250M3LI數據表 (總頁數: 29, 大小: 830.74 KB)
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IS61QDB22M18A-250M3LI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QUAD
內存大小36Mb (2M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率250MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間8.4ns
電壓-供電1.71V ~ 1.89V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-LFBGA (15x17)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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8ms, 2.8ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - DDR3

內存大小

2Gb (256M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

667MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

13.5ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

供應商設備包裝

78-FBGA (9x11.5)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

64Mb (4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.4V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP II

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