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IS61QDP2B24M18A-333M3L

IS61QDP2B24M18A-333M3L

僅供參考

型號 IS61QDP2B24M18A-333M3L
PNEDA編號 IS61QDP2B24M18A-333M3L
描述 IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61QDP2B24M18A-333M3L資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61QDP2B24M18A-333M3L
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61QDP2B24M18A-333M3L, IS61QDP2B24M18A-333M3L數據表 (總頁數: 31, 大小: 809.66 KB)
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IS61QDP2B24M18A-333M3L規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, QUADP
內存大小72Mb (4M x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率333MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間8.4ns
電壓-供電1.71V ~ 1.89V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-LBGA
供應商設備包裝165-LFBGA (15x17)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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電壓-供電

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安裝類型

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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200µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.65V ~ 3.3V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.4ns

電壓-供電

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工作溫度

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