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IS61WV102416EDBLL-10TLI-TR

IS61WV102416EDBLL-10TLI-TR

僅供參考

型號 IS61WV102416EDBLL-10TLI-TR
PNEDA編號 IS61WV102416EDBLL-10TLI-TR
描述 IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 3,240
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61WV102416EDBLL-10TLI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61WV102416EDBLL-10TLI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61WV102416EDBLL-10TLI-TR, IS61WV102416EDBLL-10TLI-TR數據表 (總頁數: 19, 大小: 756.42 KB)
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IS61WV102416EDBLL-10TLI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小16Mb (1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電2.4V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝48-TSOP I

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

4ns

電壓-供電

1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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484-FBGA (23x23)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

8Kb (512 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

2ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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內存類型

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內存格式

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FLASH

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

70MHz

寫周期-字,頁

7µs, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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