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IS61WV10248BLL-10TLI-TR

IS61WV10248BLL-10TLI-TR

僅供參考

型號 IS61WV10248BLL-10TLI-TR
PNEDA編號 IS61WV10248BLL-10TLI-TR
描述 IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 8,622
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61WV10248BLL-10TLI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61WV10248BLL-10TLI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61WV10248BLL-10TLI-TR, IS61WV10248BLL-10TLI-TR數據表 (總頁數: 19, 大小: 556.3 KB)
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IS61WV10248BLL-10TLI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小8Mb (1M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電2.4V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

8ms, 2.8ms

訪問時間

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內存類型

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內存格式

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內存大小

1.125Mb (128K x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

32Kb (2K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

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4.5V ~ 5.5V

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