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IS61WV51216EEBLL-10B2LI

IS61WV51216EEBLL-10B2LI

僅供參考

型號 IS61WV51216EEBLL-10B2LI
PNEDA編號 IS61WV51216EEBLL-10B2LI
描述 IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 5,796
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS61WV51216EEBLL-10B2LI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS61WV51216EEBLL-10B2LI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS61WV51216EEBLL-10B2LI, IS61WV51216EEBLL-10B2LI數據表 (總頁數: 20, 大小: 866.18 KB)
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IS61WV51216EEBLL-10B2LI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小8Mb (512K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電2.4V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFBGA
供應商設備包裝48-TFBGA (6x8)

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電壓-供電

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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工作溫度

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安裝類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

5.5ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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