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IS62WV12816BLL-55BI-TR

IS62WV12816BLL-55BI-TR

僅供參考

型號 IS62WV12816BLL-55BI-TR
PNEDA編號 IS62WV12816BLL-55BI-TR
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 48MINIBGA
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 3,690
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS62WV12816BLL-55BI-TR資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS62WV12816BLL-55BI-TR
類別半導體內存IC內存
數據表
IS62WV12816BLL-55BI-TR, IS62WV12816BLL-55BI-TR數據表 (總頁數: 17, 大小: 588.78 KB)
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IS62WV12816BLL-55BI-TR規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小2Mb (128K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.5V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱48-TFBGA
供應商設備包裝48-miniBGA (6x8)

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

85MHz

寫周期-字,頁

8µs, 4ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-VDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-VDFN (6x8)

IS43DR16128A-3DBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR2

內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

450ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

84-LFBGA

供應商設備包裝

84-LFBGA (10.5x13.5)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

56-TSOP

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

5MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

1ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

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