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IS62WV1288FALL-55BLI

IS62WV1288FALL-55BLI

僅供參考

型號 IS62WV1288FALL-55BLI
PNEDA編號 IS62WV1288FALL-55BLI
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 4,860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS62WV1288FALL-55BLI資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS62WV1288FALL-55BLI
類別半導體內存IC內存
數據表
IS62WV1288FALL-55BLI, IS62WV1288FALL-55BLI數據表 (總頁數: 17, 大小: 904.4 KB)
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IS62WV1288FALL-55BLI規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁45ns
訪問時間55ns
電壓-供電1.65V ~ 2.2V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱36-TFBGA
供應商設備包裝36-TFBGA (6x8)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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系列

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

150MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.8ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

119-BGA

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

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