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IS63LV1024L-10T

IS63LV1024L-10T

僅供參考

型號 IS63LV1024L-10T
PNEDA編號 IS63LV1024L-10T
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP II
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
單價 請求報價
庫存 2,142
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IS63LV1024L-10T資源

品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IS63LV1024L-10T
類別半導體內存IC內存
數據表
IS63LV1024L-10T, IS63LV1024L-10T數據表 (總頁數: 16, 大小: 257.93 KB)
PDFIS63LV1024L-12J-TR數據表 封面
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IS63LV1024L-10T規格

制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝32-TSOP II

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

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內存格式

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SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4Mb (128K x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

7.5ns

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

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